拓扑磁结构及其电操控
组织者
刘正伟
, 丘成桐
, 赵辉
演讲者
杜海峰
时间
2022年03月25日 14:00 至 15:15
地点
Tsinghua-Ningzhai-W11
线上
Tencent 482 3868 6453
(2022)
摘要
磁斯格明子是2009年在手性磁性材料中发现的一种纳米尺度拓扑磁结构，其非平庸的拓扑特性使其可以和电子有效耦合，从而有望作为数据载体构建未来高性能自旋电子学器件。纳米结构中磁斯格明子的产生、运动及擦除是器件构筑三个基本要求。然而，在传统的手性磁性材料中，由于斯格明子的尺寸较小(3-150 nm)，纳米结构材料制备及原位观察的极具挑战，相关研究多集中在理论设计方面，实验工作进展缓慢。在本此报告中，我们以手性磁性材料FeGe、CoZnMn为研究对象，基于形貌尺寸可控的纳米结构样品制备及原位洛伦兹透射电镜磁表征技术，报道拓扑磁结构的探索及调控。我们将实验上展示纳秒电流脉冲诱导的拓扑磁斯格明子产生、擦除及运动等拓扑磁性原型器件的基本存储功能。
演讲者介绍
杜海峰，中科院强磁场科学中心副主任。2010年于中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室获得博士学位。研究领域是纳米结构中磁性与磁性材料，致力于利用先进的样品制备与磁表征技术研究纳米结构中拓扑磁性材料、磁结构及器件构筑。相关研究成果陆续发表于Nature Nanotechnology、Physical Review Letters等国内外学术期刊。联系方式：duhf@hmfl.ac.cn